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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公開(kāi)招股書(shū),科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)連續(xù)4天資金凈流入

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2025-12-31 10:06:39

截至2025年12月31日 09點(diǎn)53分,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.10%,成分股艾森股份上漲6.76%,芯源微上漲2.08%,京儀裝備上漲1.18%,中科飛測(cè)上漲1.00%,華海誠(chéng)科上漲0.93%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)多空膠著。

從資金凈流入方面來(lái)看,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近4天獲得連續(xù)資金凈流入,最高單日獲得9197.98萬(wàn)元凈流入,合計(jì)“吸金”1.77億元,日均凈流入達(dá)4425.73萬(wàn)元。

上交所官網(wǎng)12月30日晚間顯示,長(zhǎng)鑫上交所官網(wǎng)12月30日晚間顯示,長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司(下稱(chēng)“長(zhǎng)鑫科技”)申報(bào)科創(chuàng)板IPO獲交易所受理。長(zhǎng)鑫科技申報(bào)科創(chuàng)板上市擬募資295億元,用于存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目建設(shè),合計(jì)總投資規(guī)模達(dá)345億元。

相關(guān)ETF:公開(kāi)信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類(lèi):024417;C類(lèi):024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(61%)和半導(dǎo)體材料(23%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF(562590)及其聯(lián)接基金(A類(lèi):020356、C類(lèi):020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(61%)、半導(dǎo)體材料(21%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。

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